WeEn Semiconductors Co., Ltd PHE13009 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Тип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
700 В
Максимальная рабочая частота
60 Гц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.3 x 4.5 x 15.8мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Тип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
700 В
Максимальная рабочая частота
60 Гц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.3 x 4.5 x 15.8мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors