Vishay P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA99DP-T1-GE3

Код товара RS: 188-5097PБренд: VishayПарт-номер производителя: SIRA99DP-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

195 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +16 В.

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5мм

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

172,5 nC при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA99DP-T1-GE3
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA99DP-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

195 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +16 В.

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5мм

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

172,5 nC при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China