N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3

Код товара RS: 134-9698Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIRA90DP-T1-RE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

102 нКл при 10 В

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Ширина

5.26мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

102 нКл при 10 В

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor