Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.26мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
87 нКл при 10 В
Высота
1.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
5
P.O.A.
Стандартная упаковка
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.26мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.25мм
Типичный заряд затвора при Vgs
87 нКл при 10 В
Высота
1.12мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре