N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3

Код товара RS: 710-3320Бренд: VishayПарт-номер производителя: Si4134DY-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15,4 нКл при 10 В, 7,3 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI4410BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 227,97

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
Select packaging type

тг 227,97

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 227,97тг 2 279,70
50 - 90тг 223,50тг 2 235,00
100 - 240тг 174,33тг 1 743,30
250 - 490тг 169,86тг 1 698,60
500+тг 147,51тг 1 475,10
Вас может заинтересовать
Vishay SI4410BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15,4 нКл при 10 В, 7,3 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI4410BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)