Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
ThunderFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
12 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
7,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45,6 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 3 084,30
тг 616,86 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 084,30
тг 616,86 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 45 | тг 616,86 | тг 3 084,30 |
50 - 245 | тг 447,00 | тг 2 235,00 |
250 - 995 | тг 397,83 | тг 1 989,15 |
1000 - 2495 | тг 321,84 | тг 1 609,20 |
2500+ | тг 308,43 | тг 1 542,15 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
ThunderFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
12 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
7,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45,6 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре