Vishay SI1912EDH-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 710-3235Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI1912EDH-T1-E3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,13 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.45V

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.05мм

Ширина

1.25мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.9мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3Бренд: Vishay
тг 107,28Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 143,04

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI1912EDH-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 430,40
20тг 2 860,80
30тг 4 291,20
40тг 5 721,60
50тг 7 152,00
60тг 8 582,40
70тг 10 012,80
80тг 11 443,20
90тг 12 873,60
100тг 12 069,00
110тг 13 275,90
120тг 14 482,80
130тг 15 689,70
140тг 16 896,60
150тг 18 103,50

тг 143,04

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI1912EDH-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 430,40
20тг 2 860,80
30тг 4 291,20
40тг 5 721,60
50тг 7 152,00
60тг 8 582,40
70тг 10 012,80
80тг 11 443,20
90тг 12 873,60
100тг 12 069,00
110тг 13 275,90
120тг 14 482,80
130тг 15 689,70
140тг 16 896,60
150тг 18 103,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 143,04тг 1 430,40
50 - 90тг 143,04тг 1 430,40
100 - 240тг 120,69тг 1 206,90
250 - 490тг 102,81тг 1 028,10
500+тг 89,40тг 894,00
Вас может заинтересовать
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3Бренд: Vishay
тг 107,28Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,13 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.45V

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.05мм

Ширина

1.25мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.9мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3Бренд: Vishay
тг 107,28Each (In a Pack of 50) (ex VAT)