Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 400 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1553CDL-T1-GE3

Код товара RS: 812-3094PБренд: VishayПарт-номер производителя: SI1553CDL-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

400 мА, 700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,48 Ω, 578 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

340 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,2 нКл при 10 В, 1,9 нКл при 10 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 400 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1553CDL-T1-GE3
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 400 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1553CDL-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

400 мА, 700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,48 Ω, 578 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

340 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,2 нКл при 10 В, 1,9 нКл при 10 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor