Vishay N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC IRFPC50PBF

Код товара RS: 542-9838Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFPC50PBFDistrelec Article No.: 30191592
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

180 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 543,43

тг 2 543,43 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC IRFPC50PBF
Select packaging type

тг 2 543,43

тг 2 543,43 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC IRFPC50PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 543,43
25 - 99тг 1 872,93
100 - 249тг 1 792,47
250 - 499тг 1 555,56
500+тг 1 390,17
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

180 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать