Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5мм
Длина
6.29мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
6.3V
Высота
3.37мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5мм
Длина
6.29мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
6.3V
Высота
3.37мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре