Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF

Код товара RS: 919-4508Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFBG30PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor