Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
80 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
80 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре