Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре