Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TrenchFET
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.46V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TrenchFET
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.46V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China