Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

SC-70

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

2.2мм

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,9 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China