Vishay Siliconix IRF730APBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.52мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Высота
15.85мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 19 891,50
тг 397,83 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
50
тг 19 891,50
тг 397,83 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.52мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Высота
15.85мм
Страна происхождения
China