Toshiba TK9J90E MOSFET

Код товара RS: 168-7789Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK9J90E
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-3PN

Серия

TK

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

15.5мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.5мм

Высота

20мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TK9J90E MOSFET

P.O.A.

Toshiba TK9J90E MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-3PN

Серия

TK

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

15.5мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.5мм

Высота

20мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba