Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Тип корпуса
TO-3PN
Серия
TK
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Длина
15.5мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.5мм
Высота
20мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Тип корпуса
TO-3PN
Серия
TK
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Длина
15.5мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.5мм
Высота
20мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре