Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
TK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
6.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Высота
2.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 3 397,20
тг 424,65 Each (In a Pack of 8) (ex VAT)
Стандартная упаковка
8
тг 3 397,20
тг 424,65 Each (In a Pack of 8) (ex VAT)
Стандартная упаковка
8
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
8 - 112 | тг 424,65 | тг 3 397,20 |
120 - 232 | тг 339,72 | тг 2 717,76 |
240 - 488 | тг 308,43 | тг 2 467,44 |
496 - 992 | тг 281,61 | тг 2 252,88 |
1000+ | тг 241,38 | тг 1 931,04 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
TK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
6.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Высота
2.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре