Toshiba TK N-Channel MOSFET, 7 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK7P60W,RVQ(S

Код товара RS: 827-6274Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK7P60W,RVQ(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

TK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Высота

2.3мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 397,20

тг 424,65 Each (In a Pack of 8) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 7 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK7P60W,RVQ(S
Select packaging type

тг 3 397,20

тг 424,65 Each (In a Pack of 8) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 7 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK7P60W,RVQ(S
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
8 - 112тг 424,65тг 3 397,20
120 - 232тг 339,72тг 2 717,76
240 - 488тг 308,43тг 2 467,44
496 - 992тг 281,61тг 2 252,88
1000+тг 241,38тг 1 931,04

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

TK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Высота

2.3мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba