Toshiba TK N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S

Код товара RS: 827-6249Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK58A06N1,S4X(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

58 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 494,26

тг 415,71 Each (In a Pack of 6) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S
Select packaging type

тг 2 494,26

тг 415,71 Each (In a Pack of 6) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
6 - 54тг 415,71тг 2 494,26
60 - 114тг 335,25тг 2 011,50
120 - 216тг 303,96тг 1 823,76
222 - 444тг 277,14тг 1 662,84
450+тг 236,91тг 1 421,46

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

58 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba