Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
58 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 2 494,26
тг 415,71 Each (In a Pack of 6) (ex VAT)
Стандартная упаковка
6
тг 2 494,26
тг 415,71 Each (In a Pack of 6) (ex VAT)
Стандартная упаковка
6
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
6 - 54 | тг 415,71 | тг 2 494,26 |
60 - 114 | тг 335,25 | тг 2 011,50 |
120 - 216 | тг 303,96 | тг 1 823,76 |
222 - 444 | тг 277,14 | тг 1 662,84 |
450+ | тг 236,91 | тг 1 421,46 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
58 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре