Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
39 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
270 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
5.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.94мм
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.95мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
39 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
270 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
5.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.94мм
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.95мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре