Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
DTMOSIV
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
88 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
65 нКл при 10 В
Ширина
4.45мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.7V
Высота
15.1мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
DTMOSIV
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
88 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
65 нКл при 10 В
Ширина
4.45мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.7V
Высота
15.1мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре