Toshiba TK12P60W,RVQ(S MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

TK

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

340 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.1мм

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.3мм

Страна происхождения

China