Toshiba 2SK4017(Q) MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
2SK
Тип корпуса
PW Mold2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Высота
5.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, Discontinued 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 6 705,00
тг 335,25 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
20
тг 6 705,00
тг 335,25 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 20 | тг 335,25 | тг 6 705,00 |
| 40 - 80 | тг 245,85 | тг 4 917,00 |
| 100 - 180 | тг 196,68 | тг 3 933,60 |
| 200 - 380 | тг 196,68 | тг 3 933,60 |
| 400+ | тг 143,04 | тг 2 860,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
2SK
Тип корпуса
PW Mold2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Высота
5.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре