Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
DSBGA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
9
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
1.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,9 нКл при 4 В
Ширина
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1V
Высота
0.35мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
DSBGA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
9
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
1.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,9 нКл при 4 В
Ширина
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1V
Высота
0.35мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре