Texas Instruments CSD19536KCS MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

259 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.7мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 10 В

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia