Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
79 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
7,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
46 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +16 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5,8 нКл при 4,5 В
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
79 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
7,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
46 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +16 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5,8 нКл при 4,5 В
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Информация о товаре