Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14,5 нКл при 10 В

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.13V

Высота

2.28мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C