Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
ITO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
38,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10мм
Ширина
4.6мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.5V
Высота
15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
ITO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
38,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10мм
Ширина
4.6мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.5V
Высота
15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C