Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
320 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
89,3 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 4 072,17
тг 4 072,17 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 4 072,17
тг 4 072,17 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | тг 4 072,17 |
10 - 29 | тг 3 674,34 |
30 - 59 | тг 3 598,35 |
60 - 119 | тг 3 526,83 |
120+ | тг 3 236,28 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
320 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
89,3 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.15мм
Информация о товаре