N-Channel MOSFET, 69 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW77N65M5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
38 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
400 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
185 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.75мм
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 6 284,82
тг 6 284,82 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 6 284,82
тг 6 284,82 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 6 284,82 |
| 5 - 14 | тг 6 159,66 |
| 15 - 29 | тг 5 609,85 |
| 30 - 59 | тг 4 863,36 |
| 60+ | тг 4 769,49 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
38 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
400 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
185 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.75мм
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.