STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STP13NK60ZFP
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
66 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
16.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 4 715,85
тг 943,17 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 4 715,85
тг 943,17 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 5 | тг 943,17 | тг 4 715,85 |
| 10 - 45 | тг 938,70 | тг 4 693,50 |
| 50 - 95 | тг 826,95 | тг 4 134,75 |
| 100 - 245 | тг 746,49 | тг 3 732,45 |
| 250+ | тг 701,79 | тг 3 508,95 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
66 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
16.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре