STMicroelectronics STD80N4F6 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Ширина

6.2мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China