STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3

Код товара RS: 795-9000Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD65N55F3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 844,20

тг 768,84 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 844,20
10тг 6 973,20
15тг 10 459,80
20тг 13 946,40
25тг 17 433,00
30тг 20 919,60
35тг 24 406,20
40тг 27 892,80
45тг 31 379,40
50тг 34 866,00
55тг 38 352,60
60тг 41 839,20
65тг 45 325,80
70тг 48 812,40
75тг 52 299,00

тг 3 844,20

тг 768,84 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 844,20
10тг 6 973,20
15тг 10 459,80
20тг 13 946,40
25тг 17 433,00
30тг 20 919,60
35тг 24 406,20
40тг 27 892,80
45тг 31 379,40
50тг 34 866,00
55тг 38 352,60
60тг 41 839,20
65тг 45 325,80
70тг 48 812,40
75тг 52 299,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 768,84тг 3 844,20
10 - 95тг 697,32тг 3 486,60
100 - 495тг 607,92тг 3 039,60
500 - 995тг 531,93тг 2 659,65
1000+тг 438,06тг 2 190,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics