STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 20 A, 125 V, 4-Pin M174 SD2931-10W

Код товара RS: 917-3356Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SD2931-10W
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

125 В

Тип корпуса

M174

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

389 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

24.89мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

26.67мм

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Высота

4.11мм

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 20 A, 125 V, 4-Pin M174 SD2931-10W
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 20 A, 125 V, 4-Pin M174 SD2931-10W
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

125 В

Тип корпуса

M174

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

389 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

24.89мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

26.67мм

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Высота

4.11мм

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics