Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
SCT
Тип корпуса
HiP247-4
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W65G3-4
1
P.O.A.
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W65G3-4
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
SCT
Тип корпуса
HiP247-4
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
Страна происхождения
China