N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO STMicroelectronics PD55015-E

Код товара RS: 829-0627Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: PD55015-E
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerSO

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

10

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

73 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+165 °C

Длина

9.6мм

Ширина

9.5мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный коэффициент усиления по мощности

14 дБ

Высота

3.6мм

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 994,27

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO STMicroelectronics PD55015-E
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 5 994,27
2тг 11 988,54
3тг 17 982,81
4тг 23 977,08
5тг 29 971,35
6тг 35 965,62
7тг 41 959,89
8тг 47 954,16
9тг 53 948,43
10тг 59 361,60
11тг 65 297,76
12тг 71 233,92
13тг 77 170,08
14тг 83 106,24
15тг 89 042,40

тг 5 994,27

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO STMicroelectronics PD55015-E
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 5 994,27
2тг 11 988,54
3тг 17 982,81
4тг 23 977,08
5тг 29 971,35
6тг 35 965,62
7тг 41 959,89
8тг 47 954,16
9тг 53 948,43
10тг 59 361,60
11тг 65 297,76
12тг 71 233,92
13тг 77 170,08
14тг 83 106,24
15тг 89 042,40

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 5 994,27
10 - 24тг 5 936,16
25 - 99тг 5 819,94
100 - 299тг 5 292,48
300+тг 5 158,38

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerSO

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

10

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

73 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+165 °C

Длина

9.6мм

Ширина

9.5мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный коэффициент усиления по мощности

14 дБ

Высота

3.6мм

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics