ROHM RVQ040N05TR MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
45 В
Тип корпуса
TSMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-21 В, +21 В
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.8мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Высота
0.95мм
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
тг 2 011,50
тг 134,10 Each (In a Pack of 15) (ex VAT)
15
тг 2 011,50
тг 134,10 Each (In a Pack of 15) (ex VAT)
15
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 15 - 360 | тг 134,10 | тг 2 011,50 |
| 375 - 735 | тг 111,75 | тг 1 676,25 |
| 750 - 1485 | тг 102,81 | тг 1 542,15 |
| 1500 - 2985 | тг 93,87 | тг 1 408,05 |
| 3000+ | тг 89,40 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
45 В
Тип корпуса
TSMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-21 В, +21 В
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.8мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Высота
0.95мм
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре