ROHM BSM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 120 A, 1200 V, 4-Pin C BSM120D12P2C005
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Серия
BSM
Тип корпуса
C
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Максимальное рассеяние мощности
935 Вт
Количество элементов на ИС
2
Ширина
45.6мм
Материал транзистора
SiC
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
122мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
17мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Серия
BSM
Тип корпуса
C
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Максимальное рассеяние мощности
935 Вт
Количество элементов на ИС
2
Ширина
45.6мм
Материал транзистора
SiC
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
122мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
17мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.