Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
4Мбит
Организация
512К слов x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
19бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
32
Размеры
21.05 x 10.26 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
21.05мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LP Series, Renesas Electronics
The R1LP Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
4Мбит
Организация
512К слов x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
19бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
32
Размеры
21.05 x 10.26 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
21.05мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LP Series, Renesas Electronics
The R1LP Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.