ON Semiconductor SMP3003-DL-1E MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Тип канала
P
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Высота
4.5мм
Длина
10мм
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Ширина
9.2мм
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Батареи
3 x AAA BatteryТип корпуса
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs
280 нКл при 10 В
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
Bodo Ehmann Aluminium 4 Way Type F German Schuko Socket Strip with 2 USB Outlets
Bodo Ehmann NPI
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
800
P.O.A.
800
Техническая документация
Характеристики
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Тип канала
P
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Высота
4.5мм
Длина
10мм
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Ширина
9.2мм
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Батареи
3 x AAA BatteryТип корпуса
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs
280 нКл при 10 В
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре