ON Semiconductor RFP50N06 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
MegaFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
22 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
131 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
125 нКл при 20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.4мм
Информация о товаре
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
MegaFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
22 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
131 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
125 нКл при 20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.4мм
Информация о товаре
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.