Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
750 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
20
P.O.A.
Стандартная упаковка
20
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
20 - 80 | P.O.A. |
100 - 180 | P.O.A. |
200 - 980 | P.O.A. |
1000 - 1980 | P.O.A. |
2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
750 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре