onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.6 A, 1000 V, 3-Pin DPAK FQD2N100TM

Код товара RS: 671-0999Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQD2N100TM
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

QFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 190,30

тг 438,06 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.6 A, 1000 V, 3-Pin DPAK FQD2N100TM
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 190,30
10тг 4 380,60
15тг 6 570,90
20тг 8 761,20
25тг 8 493,00
30тг 10 191,60
35тг 11 890,20
40тг 13 588,80
45тг 15 287,40
50тг 16 986,00
55тг 18 684,60
60тг 20 383,20
65тг 22 081,80
70тг 23 780,40
75тг 25 479,00

тг 2 190,30

тг 438,06 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 1.6 A, 1000 V, 3-Pin DPAK FQD2N100TM
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 190,30
10тг 4 380,60
15тг 6 570,90
20тг 8 761,20
25тг 8 493,00
30тг 10 191,60
35тг 11 890,20
40тг 13 588,80
45тг 15 287,40
50тг 16 986,00
55тг 18 684,60
60тг 20 383,20
65тг 22 081,80
70тг 23 780,40
75тг 25 479,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 438,06тг 2 190,30
25 - 95тг 339,72тг 1 698,60
100 - 245тг 272,67тг 1 363,35
250 - 495тг 268,20тг 1 341,00
500+тг 245,85тг 1 229,25

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

QFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.