ON Semiconductor FGH40T120SQDNL4 IGBT

Brand

Максимальный непрерывный ток коллектора

160 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Максимальное рассеяние мощности

454 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5.2 x 22.74мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

5000пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Страна происхождения

China