Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

ON Semiconductor FDS4559 MOSFET

Код товара RS: 166-3247Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDS4559
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

3,5 А, 4,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ, 105 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

4мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12,5 нКл при 10 В, 15 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FDS4559 MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor FDS4559 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

3,5 А, 4,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ, 105 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

4мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12,5 нКл при 10 В, 15 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.