onsemi QFET P-Channel MOSFET, 1.8 A, 150 V, 8-Pin MLPAK33 FDMC2523P

Код товара RS: 671-0387Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMC2523P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

QFET

Тип корпуса

MLPAK33

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6,2 нКл при 10 В

Ширина

3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 849,30

тг 169,86 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET P-Channel MOSFET, 1.8 A, 150 V, 8-Pin MLPAK33 FDMC2523P
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 849,30
10тг 1 698,60
15тг 2 547,90
20тг 3 397,20
25тг 4 134,75
30тг 4 961,70
35тг 5 788,65
40тг 6 615,60
45тг 7 442,55
50тг 8 269,50
55тг 9 096,45
60тг 9 923,40
65тг 10 750,35
70тг 11 577,30
75тг 12 404,25

тг 849,30

тг 169,86 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET P-Channel MOSFET, 1.8 A, 150 V, 8-Pin MLPAK33 FDMC2523P
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 849,30
10тг 1 698,60
15тг 2 547,90
20тг 3 397,20
25тг 4 134,75
30тг 4 961,70
35тг 5 788,65
40тг 6 615,60
45тг 7 442,55
50тг 8 269,50
55тг 9 096,45
60тг 9 923,40
65тг 10 750,35
70тг 11 577,30
75тг 12 404,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 169,86тг 849,30
25 - 95тг 165,39тг 826,95
100 - 245тг 165,39тг 826,95
250 - 495тг 160,92тг 804,60
500+тг 156,45тг 782,25

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

QFET

Тип корпуса

MLPAK33

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6,2 нКл при 10 В

Ширина

3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.