Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА, 700 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
SOT-363 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
700 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.3V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.25мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,1 нКл при 4,5 В, 1,4 нКл при 4,5 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА, 700 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
SOT-363 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
700 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.3V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.25мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,1 нКл при 4,5 В, 1,4 нКл при 4,5 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.