Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 6.5 A, 9 A, 40 V, 5-Pin DPAK onsemi FDD8424H

Код товара RS: 671-0356PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDD8424H
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

6,5 А, 9 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ, 54 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Общий дренаж

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В, 17 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 6.5 A, 9 A, 40 V, 5-Pin DPAK onsemi FDD8424H
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 1
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 6.5 A, 9 A, 40 V, 5-Pin DPAK onsemi FDD8424H
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 1
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

6,5 А, 9 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ, 54 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Общий дренаж

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В, 17 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.