onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 FDC6401N
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
106 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
2
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,3 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 2 771,40
тг 138,57 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 2 771,40
тг 138,57 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 138,57 | тг 2 771,40 |
| 100 - 180 | тг 93,87 | тг 1 877,40 |
| 200 - 980 | тг 89,40 | тг 1 788,00 |
| 1000 - 1980 | тг 67,05 | тг 1 341,00 |
| 2000+ | тг 62,58 | тг 1 251,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
106 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
2
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,3 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.