ON Semiconductor FCP16N60N MOSFET

Код товара RS: 739-6147Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCP16N60N
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

199 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

134,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

40,2 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SupreMOS

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 515,33

Each (ex VAT)

ON Semiconductor FCP16N60N MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 515,33
2тг 3 030,66
3тг 4 545,99
4тг 6 061,32
5тг 7 576,65
6тг 9 091,98
7тг 10 607,31
8тг 12 122,64
9тг 13 637,97
10тг 14 795,70
11тг 16 275,27
12тг 17 754,84
13тг 19 234,41
14тг 20 713,98
15тг 22 193,55

тг 1 515,33

Each (ex VAT)

ON Semiconductor FCP16N60N MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 515,33
2тг 3 030,66
3тг 4 545,99
4тг 6 061,32
5тг 7 576,65
6тг 9 091,98
7тг 10 607,31
8тг 12 122,64
9тг 13 637,97
10тг 14 795,70
11тг 16 275,27
12тг 17 754,84
13тг 19 234,41
14тг 20 713,98
15тг 22 193,55

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 515,33
10 - 49тг 1 479,57
50 - 99тг 1 332,06
100 - 249тг 1 220,31
250+тг 1 023,63

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

199 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

134,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

40,2 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SupreMOS

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.