N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-220 onsemi FCP150N65F
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
133 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
298 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
72 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
16.3мм
Серия
SuperFET II
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
2
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
133 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
298 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
72 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
16.3мм
Серия
SuperFET II
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.